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申请/专利权人：西安工程大学
申请日：2024-01-29
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016770A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/10;C30B29/40;C30B25/02;C25F3/12;C30B25/18;C30B29/68
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明公开了具有中孔GaNDBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaNn‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaNDBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaNDBR的中孔GaN基LED。本发明是一种具有中孔GaNDBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。
主权项：1.具有中孔GaNDBR的中孔GaN基LED的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u-GaN-GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；步骤2、在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaNDBR的中孔GaN基MQW；步骤3、以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p-GaN层，制备具有中孔GaNDBR的中孔GaN基LED。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安工程大学 具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法
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