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申请/专利权人：哥伦布光伏有限责任公司
申请日：2020-07-13
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN114762130B
主分类号：H01L31/07
分类号：H01L31/07
优先权：["20191002 US 62/909,424"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2022.08.02#实质审查的生效;2022.07.15#公开
摘要：一种光伏电池，其包括由直接半导体形成的半导体元件20以及叠加在半导体的正面22的第一部分的透明偏压介质28，所述偏压介质28在半导体元件中产生第一耗尽区30。集电极40直接接触正面的第二部分。集电极在半导体元件中产生第二耗尽区44。集电极40不与偏压介质28直接导电接触，但与偏压介质靠近。至少部分耗尽多数载流子的连续区域在半导体元件正面的第一耗尽区和第二耗尽区之间延伸。连续区域可包括第一和第二耗尽区30、44的重叠部分，或可包括由带电的电介质147形成的附加耗尽区160。
主权项：1.一种光伏电池，包括：a由具有正面和背面的直接半导体形成的半导体元件；b与所述正面的第一部分直接接触的透明偏压介质，所述透明偏压介质具有与半导体元件的标准费米能级不同的标准费米能级，使得偏压介质在半导体元件中产生第一耗尽区；c与所述正面的第二部分直接接触的集电极，第二部分与第一部分分离，正面的第二部分小于正面的第一部分，集电极的标准费米能级与半导体元件的标准费米能级不同，使得集电极在半导体元件中产生第二耗尽区，集电极不与偏压介质直接导电接触但与偏压介质靠近，其中除通过半导体元件外，偏压介质不直接导电连接至集电极，在正面处的第一耗尽区和第二耗尽区之间延伸有连续的少数载流子通道；和d在与耗尽区相隔开的位置处接触半导体元件的第二电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哥伦布光伏有限责任公司 直接半导体太阳能装置的改进
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