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申请/专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日：2021-12-28
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN114464687B
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/0747;H01L31/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2022.05.27#实质审查的生效;2022.05.10#公开
摘要：一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，所述n型硅基底的正背面均设有一层层，且所述n型硅基底的正面自下而上依次设置有层、p型掺杂多晶硅层、功能层以及正面电极，所述n型硅基底的背面自上而下依次设置有层、n型掺杂多晶硅层、TCO层以及背面电极；其中，所述功能层包括层，所述层上端面镂空设置有TCO沉积层，所述正面电极设于所述TCO沉积层上；本发明还公开其制备方法，通过引入局部TCO接触以及低温银浆技术，将隧穿钝化接触结构应用在TOPCON电池正背面，并且正面采用局部的TCO接触，不仅减小了PVD对正面钝化层的溅射损失、降低了TCO的寄生吸收、还减小了TCO的消耗降低成本。
主权项：1.一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，包括n型硅基底（1），其特征在于：所述n型硅基底（1）的正背面均设有一层层（2），且所述n型硅基底（1）的正面自下而上依次设置有层（2）、p型掺杂多晶硅层（3）、功能层以及正面电极（5），所述n型硅基底（1）的背面自上而下依次设置有层（2）、n型掺杂多晶硅层（7）、TCO层（8）以及背面电极（9）；其中，所述功能层包括层（4），所述层（4）上端面镂空设置有TCO沉积层（6），所述正面电极（5）设于所述TCO沉积层（6）上，所述TCO层（8）的厚度为20nm-30nm，所述层（6）的厚度为0.3-3nm，所述n型掺杂多晶硅层（7）的厚度为15-300nm，所述层（4）的厚度为20nm-30nm，所述p型掺杂多晶硅层（3）的厚度为15-300nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法
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