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申请/专利权人：罗姆股份有限公司
申请日：2019-09-24
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN112805887B
主分类号：H01S5/02315
分类号：H01S5/02315;H01S5/0232
优先权：["20181001 JP 2018-186456"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2021.06.01#实质审查的生效;2021.05.14#公开
摘要：本发明提供一种半导体激光装置A1，其包括：半导体激光芯片2；和支承半导体激光芯片2的基座1，其包含基底11和固定于基底11的引线3A、3B、3C。半导体激光装置A1还具有第一金属层15，其包括：覆盖基底11和引线3A、3B、3C的第一层151；设置在第一层151与基底11以及引线3A、3B、3C之间的第二层152；和设置在第二层152与基底11以及引线3A、3B、3C之间的第三层153。第二层152的晶粒比第三层153的晶粒小。依据这样的结构，能够抑制腐蚀。
主权项：1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：半导体激光芯片；和支承所述半导体激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引线，所述半导体激光装置具有第一金属层，所述第一金属层包括：覆盖所述基底和所述引线的第一层；设置在所述第一层与所述基底以及所述引线之间的第二层；和设置在所述第二层与所述基底以及所述引线之间的第三层，所述第二层的晶粒比所述第三层的晶粒小，所述基座包括固定于所述基底且支承所述半导体激光芯片的块体，所述基底具有供所述引线插通的贯通孔，具有设置在所述基底与所述引线之间的绝缘部件，所述第一金属层形成于避开所述基底与所述绝缘部件之间的区域。
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