申请/专利权人:厦门乾照光电股份有限公司
申请日:2023-08-23
公开(公告)日:2024-05-10
公开(公告)号:CN220934110U
主分类号:H01L33/46
分类号:H01L33/46;H01L33/44;H01L33/36;H01L33/00
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.05.10#授权
摘要:本实用新型提供一种LED芯片,该LED芯片包括:金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构,其中,金属反射结构和透明介质结构构成ODR反射结构,用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区;金属反射结构为多层的复合反射结构,可以有效地提高反射率;透明介质结构包括电介质层,或绝缘介质层,且,绝缘介质层具有贯穿绝缘介质层的多个通孔,各通孔由金属材质填充形成多个导电通道,电流可以通过电介质层或多个导电通道进行均匀分布,避免在大电流工作条件下,LED芯片出现电流拥挤及可靠性不好的问题;并结合出光面为粗化面,在扩大LED芯片发光角度的同时能够提高LED芯片出光效率。
主权项:1.一种LED芯片,其特征在于,包括:导电基板;在所述导电基板的一侧表面沿第一方向依次层叠的金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构,所述第一方向垂直于所述导电基板,并由所述导电基板指向所述堆叠结构;其中,所述金属反射结构和所述透明介质结构构成ODR反射结构,用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区;所述金属反射结构为多层的复合反射结构;所述透明介质结构包括电介质层,或绝缘介质层,且,所述绝缘介质层具有贯穿所述绝缘介质层的多个通孔,各所述通孔由金属材质填充形成多个导电通道;所述堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的第二型半导体层、第二波导层、有源区、第一波导层及第一型半导体层;所述第一型半导体层包括沿所述第一方向依次层叠的第一型限制层、第一型电流扩展层、第一型粗化层及第一型欧姆接触层;所述第二型半导体层包括沿所述第一方向依次层叠的第二型欧姆接触层、第二型电流扩展层及第二型限制层;其中,所述第一型欧姆接触层显露部分所述第一型粗化层,且,所述第一型粗化层的裸露部为出光面,所述出光面为粗化面;第一电极,其设置于所述第一型欧姆接触层背离所述第一型粗化层的一侧表面,与所述第一型半导体层形成电连接;第二电极,其设置于所述导电基板背离所述金属键合层的一侧表面,与所述第二型半导体层形成电连接。
全文数据:
权利要求:
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