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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109585559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811138537.9，技术领域涉及：H01L29/78；该发明授权半导体装置是由宋昇珉;朴雨锡;梁正吉;裵金钟;裵东一设计研发完成，并于2018-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开提供半导体装置。一种半导体装置包括衬底及在所述衬底上的栅极结构。所述半导体装置包括在所述衬底上的沟道。所述半导体装置包括在所述沟道上的源极漏极层。此外，所述半导体装置包括在所述栅极结构的侧壁上的间隔件。所述间隔件包括在垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分以及从所述中心部分突出的突出部分。本公开的半导体装置可具有良好的电特性。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：有源区，在实质上垂直衬底的上表面的垂直方向上从所述衬底突出，所述有源区在实质上平行所述衬底的所述上表面的第一方向上延伸；多个沟道，在所述垂直方向上于所述有源区的上表面上彼此间隔开，所述多个沟道中的每一者在所述第一方向上延伸；栅极结构，在实质上垂直所述第一方向和实质上平行所述衬底的所述上表面的第二方向上于所述有源区上延伸，所述栅极结构在所述第一方向上环绕所述多个沟道中的每一者的中心部分且包括下部部分及上部部分；第一间隔件，在所述栅极结构的所述下部部分的在所述第一方向上的相对侧壁的每一者上；第二间隔件，在所述栅极结构的所述上部部分的在所述第一方向上的相对侧壁的每一者上；以及源极漏极层，与所述多个沟道的在所述第一方向上的相对侧壁的每一者、所述第一间隔件的在所述第一方向上的相对外侧壁的每一者以及所述第二间隔件的在所述第一方向上的相对外侧壁的每一者的下部部分接触，其中所述第一间隔件在所述垂直方向上与所述第二间隔件至少部分地交叠，且所述第一间隔件包括：在所述第二方向上的中心部分，且所述中心部分在所述垂直方向上与所述多个沟道交叠；以及第一突出部分及第二突出部分，分别从所述第二方向上的所述中心部分的相对的第一端和第二端突出且在所述垂直方向上不与所述多个沟道交叠，所述第一突出部分及所述第二突出部分在相对于经过两个第一间隔件之间的所述源极漏极层的中心点在所述第一方向上延伸的轴线在平面上自顶部观看彼此对称，且所述中心部分在所述第一方向和所述第二方向的每一者上较所述第一突出部分及所述第二突出部分长，且其中所述源极漏极层的下表面的在所述第一方向上的中心部分低于所述源极漏极层的所述下表面的在所述第一方向上的边缘部分。

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