恭喜台湾积体电路制造股份有限公司王俊杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造重布线路结构的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111128768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911043962.4,技术领域涉及:H01L21/60;该发明授权制造重布线路结构的方法是由王俊杰;郭宏瑞;许照荣;李明潭设计研发完成,并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造重布线路结构的方法在说明书摘要公布了:本发明实施例公开制造重布线路结构的方法,且所述方法中的一种包括以下步骤。在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层。在所述晶种层之上形成光刻胶材料。使用等于或小于0.18的数值孔径,通过相移掩模将所述光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长。将所述光刻胶材料显影以形成光刻胶层,所述光刻胶层包括光刻胶图案及所述光刻胶图案之间的开口。在所述开口中形成导电材料。移除所述光刻胶图案,以形成导电图案。通过使用所述导电图案作为掩模,局部地移除所述晶种层,以在所述导电图案下方形成晶种层图案,其中重布线导电图案分别包括所述晶种层图案及所述导电图案。
本发明授权制造重布线路结构的方法在权利要求书中公布了:1.一种制造重布线路结构的方法,所述方法包括:在管芯之上形成晶种层;在所述晶种层之上形成第一光刻胶材料;使用等于或小于0.18的数值孔径,通过相移掩模将所述第一光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长;将所述第一光刻胶材料显影以形成第一光刻胶层,其中所述第一光刻胶层包括多个第一光刻胶图案及所述多个第一光刻胶图案之间的多个第一开口;在所述多个第一开口中形成第一导电材料;在所述第一导电材料之上形成第二光刻胶层,其中所述第二光刻胶层包括至少一个第二开口;在所述至少一个第二开口中形成第二导电材料;移除所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层,以形成多个第一导电图案及至少一个第二导电图案;使用所述多个第一导电图案作为掩模,局部地移除所述晶种层,以在所述多个第一导电图案下方形成多个晶种层图案;以及形成介电层,其中所述至少一个第二导电图案设置在所述介电层中。
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