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龙图腾网恭喜株式会社迪思科申请的专利破坏试验装置和碎片回收方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910869125.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权破坏试验装置和碎片回收方法是由松崎荣;野村祐太朗设计研发完成，并于2019-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本破坏试验装置和碎片回收方法在说明书摘要公布了：提供破坏试验装置和碎片回收方法。破坏试验装置具有：芯片破坏单元，其能够将芯片破坏；和碎片回收单元，其配设在芯片破坏单元的下方，在正面上具有对被芯片破坏单元破坏的芯片的碎片进行保持的碎片保持面，芯片破坏单元按照使要被破坏的芯片的破坏起点面对碎片回收单元的碎片保持面的方式将芯片破坏。碎片回收单元的碎片保持面可以沿着水平面。芯片破坏单元可以具有芯片夹持单元和移动单元，芯片夹持单元具有：第一芯片支承部，其具有沿着铅垂方向的第一面；和第二芯片支承部，其具有与第一面面对的沿着铅垂方向的第二面，芯片夹持单元对弯曲成U字状的芯片进行夹持，移动单元使第一芯片支承部和第二芯片支承部向相互接近的方向相对移动。

本发明授权破坏试验装置和碎片回收方法在权利要求书中公布了：1.一种破坏试验装置，其特征在于，该破坏试验装置具有：芯片破坏单元，其能够将芯片破坏；以及碎片回收单元，其配设在该芯片破坏单元的下方，在正面上具有对被芯片破坏单元破坏的该芯片的碎片进行保持的碎片保持面，该碎片回收单元在该碎片保持面具有粘接片，该粘接片具有粘接性并对落下的该芯片的碎片进行保持，该芯片破坏单元按照使要被破坏的芯片的破坏起点面对该碎片回收单元的该碎片保持面的方式将该芯片破坏。

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