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龙图腾网恭喜艾普凌科有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111509119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010078531.8，技术领域涉及：H10N52/80；该发明授权半导体装置是由飞冈孝明;挽地友生设计研发完成，并于2020-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置具备：纵型霍尔元件（110），设置在半导体衬底的第1区域（R1），具有依次并排配置在第1直线（A1－A1）上的第1至第3电极（112～114）；以及具有发热源的电路（210），设置在半导体衬底的与第1区域（R1）不同的第2区域（R2），当纵型霍尔元件（110）动作时具有发热源的电路（210）中成为最高温度的区域（210hr）的中心点（210h）位于与成为流过第1电极（111）与第3电极（114）之间的霍尔元件驱动电流的路径的电流路径（CP1）正交且通过纵型霍尔元件（110）的中心的第2直线（A2－A2）上。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于具备：第1纵型霍尔元件，其设置在半导体衬底的第1区域，并具有依次并排配置在第1直线上的第1至第3电极；以及第1电路，其具有发热源，并设置在所述半导体衬底的与所述第1区域不同的第2区域，当所述第1纵型霍尔元件动作时所述第1电路中成为最高温度的区域的中心点位于第2直线上，该第2直线与成为流过所述第1电极与所述第3电极之间的霍尔元件驱动电流的路径的第1电流路径正交且通过所述第1纵型霍尔元件的中心，所述第1纵型霍尔元件还具有以夹持所述第1至第3电极的方式与所述第1至第3电极并排设置在所述第1直线上的第7及第8电极，所述半导体装置还具备第2纵型霍尔元件，其在所述半导体衬底的与所述第1及第2区域不同的第3区域相对于所述第1纵型霍尔元件垂直配置，并具有依次并排配置在与所述第1直线正交的第3直线上的第4至第6电极，当所述第1纵型霍尔元件动作时所述第1电路中成为最高温度的区域的中心点位于第4直线上，该第4直线与成为流过所述第4电极与所述第6电极之间的霍尔元件驱动电流的路径的第2电流路径正交且通过所述第2纵型霍尔元件的中心。

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