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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及制作所述封装结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010871023.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权封装结构及制作所述封装结构的方法是由蔡宗甫;叶宫辰;郭立中;卢思维;施应庆设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构及制作所述封装结构的方法在说明书摘要公布了：一种封装结构包括线路衬底及半导体封装。半导体封装设置在线路衬底上，且包括多个半导体管芯、绝缘密封体以及连接结构。绝缘密封体包括第一部分及从第一部分突出的第二部分，第一部分包封所述多个半导体管芯且具有平坦的第一表面，且第二部分具有平坦的第二表面，所述平坦的第二表面位于与平坦的第一表面不同的水平高度处。连接结构在所述平坦的第一表面上位于绝缘密封体的第一部分之上，且位于所述多个半导体管芯上，其中连接结构电连接到所述多个半导体管芯及线路衬底。

本发明授权封装结构及制作所述封装结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，包括：线路衬底；以及半导体封装，设置在所述线路衬底上，其中所述半导体封装包括：多个半导体管芯；绝缘密封体，其中所述绝缘密封体包括第一部分及从所述第一部分突出的第二部分，所述第一部分包封所述多个半导体管芯且具有平坦的第一表面，且所述第二部分具有平坦的第二表面，所述平坦的第二表面位于与所述平坦的第一表面不同的水平高度处；以及连接结构，在所述平坦的第一表面上位于所述绝缘密封体的所述第一部分之上，且位于所述多个半导体管芯上，其中所述连接结构电连接到所述多个半导体管芯及所述线路衬底。

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