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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256355B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111674256.7，技术领域涉及：H01L29/78；该发明授权一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件及其制备方法是由王俊;张锦奕;俞恒裕;梁世维;邓高强;刘航志设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiCMOSFET器件，元胞结构包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移区，N‑漂移区的顶部设有电流扩散层；N‑漂移区顶部设有P‑base区，P‑base区内还设有N+区和P+区，N+区以及P+区与源极金属相连；栅极结构包括多晶硅栅极与栅极氧化物、隔离填充层、绝缘层，所述栅极氧化物位于所述多晶硅栅极与源极金属、P‑base区、N+区、P+区和电流扩散层之间；电流扩散层通过栅极氧化物与源极金属相连；本发明在不削弱传统平面栅SiCMOSFET性能的情况下，改善了器件的高频品质优值HF‑FOMs,High‑FrequencyFigure‑of‑Merits和动态工作性能。

本发明授权一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiCMOSFET器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的漏极金属（1）、N+衬底（2）、N-漂移区（3）；所述N-漂移区（3）顶部设有电流扩散层（4）；所述电流扩散层（4）的两侧各设置一个P-base区（5）；所述P-base区（5）的表面设置有金属源极（12）；所述N-漂移区（3）与金属源极（12）之间设置有栅极结构；元胞结构两侧的P-base区（5）中具有N+区（6）；P-base区（5）中有N+区（6）的外侧还具有P+区（7）；所述P+区（7）和N+区（6）的引出端均与金属源极（12）相连；所述栅极结构包括多晶硅栅极（8）、栅氧（9）、隔离填充层（10）和绝缘层（11），所述多晶硅栅极（8）与金属源极（12）、P-base区（5）、N+区（6）、电流扩散层（4）之间设置有栅氧（9）；所述隔离填充层（10）中间由金属源极（12）填充作为场板，所述金属源极（12）与电流扩散层（4）之间设置有隔离填充层（10）；所述多晶硅栅极（8）设置在栅氧（9）、隔离填充层（10）和绝缘层（11）之间，所述绝缘层（11）设置在N+区（6）、多晶硅栅极（8）、栅氧（9）、隔离填充层（10）和金属源极（12）之间。

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