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龙图腾网恭喜中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利加热座及碳化硅外延设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222024559U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420042832.9，技术领域涉及：C30B25/10；该实用新型加热座及碳化硅外延设备是由孙涛;孙国峰;王彦君;孙晨光;陈海波;罗永恒;徐强;元佳丽;付子雨;马雯静设计研发完成，并于2024-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本加热座及碳化硅外延设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种加热座及碳化硅外延设备，属于碳化硅生产设备技术领域，该加热座用于与另一加热座围成生长腔室；生长腔室内具有外延生长区域；加热座具有沿第一方向贯穿设置的第一腔室，加热座包括第一内壁和第一壁，第一内壁围成第一腔室；第一壁与第一内壁相背离，且第一壁用于围成生长腔室；其中，第一内壁和第一壁之间具有沿第一方向贯穿加热座的通气孔，通气孔与外延生长区域沿第二方向相对设置，第二方向与第一方向垂直。本申请通过在加热座上外延生长区域对应的位置设置通气孔，以通入流动的气体带走生长腔室中心的热量，降低生长腔室中心的温度以减少生长腔室中心和边缘的温度差值，进而解决外延片厚度和载流子浓度均匀性差的问题。

本实用新型加热座及碳化硅外延设备在权利要求书中公布了：1.一种加热座，其特征在于，用于与另一加热座10围成生长腔室20；所述生长腔室20内具有外延生长区域21；所述加热座具有沿第一方向贯穿设置的第一腔室11，所述加热座包括：第一内壁12，所述第一内壁12围成所述第一腔室11；第一壁13，所述第一壁13与所述第一内壁12相背离，且所述第一壁13用于围成所述生长腔室20；其中，所述第一内壁12和所述第一壁13之间具有沿第一方向贯穿所述加热座的通气孔14，所述通气孔14与所述外延生长区域21沿第二方向相对设置，所述第二方向与所述第一方向垂直。

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