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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110190050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910072644.4，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体封装是由宋垠锡;金灿景;黄泰周设计研发完成，并于2019-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装在说明书摘要公布了：提供了一种半导体封装。半导体封装包括：存储器子封装，包括第一连接层以及设置在第一连接层上的多个存储器芯片；逻辑子封装，包括第二连接层、设置在第二连接层上的控制器芯片、以及连接到所述控制器芯片和多个存储器芯片的缓冲器芯片；以及多个封装间连接构件，每个封装间连接构件连接存储器子封装和所述逻辑子封装，其中，缓冲器芯片经由每个具有第一数据传输速率的多个第一数据传输线连接到多个存储器芯片，缓冲器芯片经由每个具有第二数据传输速率的多个第二数据传输线连接到控制器芯片，并且第一数据传输速率小于第二数据传输速率。半导体封装具有高存储器带宽和信号完整性。

本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括：存储器子封装，包括第一连接层以及设置在所述第一连接层上的多个存储器芯片；逻辑子封装，包括第二连接层、设置在所述第二连接层上的控制器芯片、以及连接到所述控制器芯片和所述多个存储器芯片的缓冲器芯片；以及多个封装间连接构件，每个封装间连接构件连接所述存储器子封装和所述逻辑子封装，其中，所述缓冲器芯片经由各自具有第一数据传输速率的多条第一数据传输线连接到所述多个存储器芯片，所述缓冲器芯片经由各自具有第二数据传输速率的多条第二数据传输线连接到所述控制器芯片，并且所述第一数据传输速率小于所述第二数据传输速率。

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