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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910892383.0，技术领域涉及：H01L21/336；该发明授权半导体结构及其形成方法是由柏耸;马其梁;宋涛;李璇设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在所述待刻蚀层上形成若干相互分立的第一牺牲层，若干所述第一牺牲层之间具有若干开口，所述若干开口中包括位于第一区上的第一开口；在所述第一牺牲层侧壁形成初始侧墙结构，所述初始侧墙结构包括第一侧墙，所述第一侧墙填充满所述第一开口；以所述第一侧墙为对准标记，在所述待刻蚀层上和初始侧墙结构上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分待刻蚀层和部分初始侧墙结构。所形成的半导体结构性能得到了提升。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在所述待刻蚀层上形成若干相互分立的第一牺牲层，若干所述第一牺牲层之间具有若干开口，所述若干开口中包括位于第一区上的第一开口和位于第二区上的第二开口，所述第一开口在平行于待刻蚀层表面的方向且沿所述第一开口在所述待刻蚀层表面排列方向上具有第一尺寸，所述第二开口在平行于待刻蚀层表面的方向且沿所述第二开口在待刻蚀层表面排列方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；在所述第一牺牲层侧壁形成初始侧墙结构，所述初始侧墙结构包括第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙填充满所述第一开口，所述第二侧墙位于所述第二开口的侧壁；以所述第一侧墙为对准标记，在所述待刻蚀层上和初始侧墙结构上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分待刻蚀层和部分第一侧墙和部分第二侧墙；以所述第一掩膜层为掩膜，去除部分第一侧墙和部分第二侧墙，形成侧墙结构；以所述侧墙结构为掩膜，继续刻蚀所述待刻蚀层，形成鳍部。

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