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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111106019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911022264.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备是由P·利安托;M·拉菲;M·A·B·S·苏莱曼;G·H·施;Y·X·K·安;S·斯如纳乌卡拉苏;A·桑达拉扬;K·埃卢马莱设计研发完成，并于2019-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备在说明书摘要公布了：公开了用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备。用于在衬底上产生精细间距图案化的方法和设备。在载体或无载体的衬底上完成所述衬底的翘曲校正。通过将所述衬底的温度升高到第一温度且保持为所述第一温度和将所述无载体的衬底冷却到第二温度来对所述衬底执行第一翘曲校正工艺。然后执行进一步晶片级封装处理，诸如在所述衬底上的聚合物层中形成通孔。然后通过将所述衬底的温度升高到第三温度且保持为所述第三温度和将所述衬底冷却到第四温度来在所述衬底上执行第二翘曲校正工艺。随着所述衬底的所述翘曲减小，可以用22μmls精细间距图案化来在所述衬底上形成再分布层。

本发明授权用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种在晶片级封装工艺中在衬底上进行精细间距图案化的方法，包括：通过将所述衬底斜升到第一温度且保持为所述第一温度达第一持续时间和将所述衬底斜升到第二温度且保持为所述第二温度达第二持续时间来对所述衬底执行第一翘曲校正工艺，其中所述第一温度大于所述第二温度；在所述衬底上的聚合物层中形成通孔；固化所述聚合物层；通过将所述衬底斜升到第三温度且保持为所述第三温度达第三持续时间和将所述衬底斜升到第四温度且保持为所述第四温度达第四持续时间来对所述衬底执行第二翘曲校正工艺，其中所述第三温度大于所述第四温度；以及用具有1010μm或更小的线空间的精细间距图案化来在所述衬底上形成再分布层。

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