恭喜三星电子株式会社李贞九获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其操作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111220887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911113487.3,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权半导体装置及其操作方法是由李贞九;金大汉;金智允;李真烨设计研发完成,并于2019-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其操作方法在说明书摘要公布了:提供一种半导体装置以及操作方法。半导体装置包括测试电路,该测试电路包括:测试晶体管,其用于使用应力电压测试时间相关的介电击穿TDDB特性;输入开关,其被设置在被施加了应力电压的电压施加节点与将应力电压传输到测试晶体管的输入节点之间;以及保护开关,其被设置在输入节点和接地节点之间。
本发明授权半导体装置及其操作方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,包括:测试电路,其包括:测试晶体管,其用于使用应力电压来测试时间相关的介电击穿特性;输入开关,其位于被施加了所述应力电压的电压施加节点与电连接到所述测试晶体管的输入节点之间;以及保护开关,其位于所述输入节点与接地节点之间,其中,所述保护开关的一侧连接至所述测试晶体管的栅极,所述保护开关的另一侧直接连接至所述测试晶体管的源极、漏极和主体,其中,当所述保护开关导通时,所述测试晶体管的所述栅极、所述源极、所述漏极和所述主体连接到所述接地节点。
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