恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010413814.3，技术领域涉及：H01L21/336；该发明授权半导体结构的形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对的第一面和第二面；对所述晶圆的第一面进行刻蚀，在所述晶圆内形成凹槽；在所述晶圆的第二面形成第二应变层，所述第二应变层用于使所述晶圆内具有第二应力；在所述凹槽内形成第一应变层，所述第一应变层用于使所述晶圆具有第一应力。从而，改善了半导体结构的应力。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对的第一面和第二面；对所述晶圆的第一面进行刻蚀，在所述晶圆内形成凹槽；在所述晶圆的第二面形成第二应变层，所述第二应变层用于使所述晶圆内具有第二应力；通过第二应力对第一应力的抵消，使得第一应力和第二应力之间更为平衡、晶圆内整体所受到的应力也较为均匀；在所述凹槽内形成第一应变层，所述第一应变层用于使所述晶圆具有第一应力；形成所述第二应变层的方法包括：在形成所述第一应变层前，采用炉管工艺在所述晶圆的第一面和第二面形成第二应变材料层；刻蚀所述第一面的第二应变材料层，直至去除所述第一面的第二应变材料层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号