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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110260919.4，技术领域涉及：H01L31/103；该发明授权半导体结构及其形成方法是由冯霞;曾红林;陈晓军;吴家亨;殷霞革;张冬生设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底内具有第一掺杂区和第二掺杂区；位于衬底上的隔离结构；位于隔离结构和衬底内的第一开口；位于第一开口内的光吸收层，且第一开口的顶部侧壁与光吸收层的顶部侧壁之间的间距大于零；位于隔离结构上的介质层，介质层覆盖光吸收层。通过位于隔离结构和衬底内的第一开口，且第一开口的顶部侧壁与光吸收层的顶部侧壁之间的间距大于零。使得光吸收层的顶部侧壁与第一开口的顶部侧壁之间的间距增大。在后续形成介质层时，使得介质层能够很好的填充到光吸收层和隔离结构之间，减少了缝隙问题的产生，有效提升了锗光电探测器的可靠性，使得最终形成的半导体结构的性能提升。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第二掺杂区内具有第二离子，所述第一离子和所述第二离子的电学类型不同；位于所述衬底上的隔离结构，所述隔离结构包括第一隔离层以及位于所述第一隔离层上的第二隔离层；位于所述隔离结构和所述衬底内的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述第一掺杂区和部分所述第二掺杂区；位于所述第一开口内的光吸收层；位于所述隔离结构上的介质层，所述介质层覆盖所述光吸收层；位于所述第一隔离层和所述衬底内的所述第一开口具有第一尺寸，位于所述第二隔离层内的所述第一开口具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；位于所述第二隔离层内的所述第一开口垂直于所述衬底顶部表面的侧壁延长线与所述光吸收层垂直于所述衬底顶部表面的侧壁延长线之间的间距大于零，以使得所述介质层能够填充到所述光吸收层和所述隔离结构之间。

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