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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110591432.4，技术领域涉及：H01L29/739；该发明授权半导体装置是由本田成人;中谷贵洋;新田哲也设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供提高了半导体基板的背面侧的设计自由度的半导体装置。半导体装置在共通的半导体基板形成有晶体管和二极管，其中，半导体基板具有：晶体管区域，其形成有晶体管；以及二极管区域，其形成有二极管，晶体管区域的第2主面侧的第1电极、二极管区域的第2主面侧的第2电极由不同的材料构成。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其在共通的半导体基板形成有晶体管和二极管，其中，所述半导体基板具有：晶体管区域，其形成有所述晶体管；以及二极管区域，其形成有所述二极管，所述晶体管区域具有：第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；第2导电型的第2半导体层，其设置于所述第1半导体层之上；第1导电型的第3半导体层，其与所述第2半导体层相比设置于所述半导体基板的第1主面侧；第2导电型的第4半导体层，其设置于所述第3半导体层之上；栅极绝缘膜，其是与所述第4半导体层、所述第3半导体层及所述第2半导体层接触地形成的；栅极电极，其形成为隔着所述栅极绝缘膜与所述第3半导体层相对；电极，其与所述第4半导体层连接；以及第1电极，其与所述第1半导体层连接，所述二极管区域具有：第2导电型的第5半导体层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧；所述第2半导体层，其设置于所述第5半导体层之上；所述第3半导体层；第1导电型的第6半导体层，其设置于所述第3半导体层之上；所述电极，其与所述第6半导体层连接；以及第2电极，其与所述第5半导体层连接，所述第1电极及所述第2电极由不同的材料构成，所述第1半导体层与所述第1电极进行欧姆连接，所述第5半导体层与所述第2电极进行欧姆连接，所述半导体基板具有末端区域，该末端区域与包含所述晶体管区域及所述二极管区域的有源区域相比设置于外侧，所述末端区域具有：所述第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；以及所述第2电极，其与所述第1半导体层连接，所述第1半导体层与所述第2电极进行肖特基连接。

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