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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种针对电源管理芯片低侧功率管的限流保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222321114U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421075082.1，技术领域涉及：H02H9/02；该实用新型一种针对电源管理芯片低侧功率管的限流保护电路是由刘文韬;雷旭;张杰;胡袁彬;陈仕松;苟超;彭克武;杨丰;李鹏;廖鹏飞;陈波设计研发完成，并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对电源管理芯片低侧功率管的限流保护电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路领域，涉及一种针对电源管理芯片低侧功率管的限流保护电路，包括：Q1的发射极连接电阻R1，基极分别与Q1的集电极、Q3的集电极以及Q2的基极相连；Q3的基极连接偏置电压，发射极连接电阻R3；将Q2作为带发射极电阻的共集电级放大器的输入管，Q2的发射极连接电阻R2，集电极连接负载管Q4的集电极、电容C1的另一端、Q5的发射极以及Q6的基极；Q4的基极连接BIAS1，发射极连接电阻R4；Q5的基极连接连接使能控制信号，集电极接地；Q6的集电极接地，发射极连接到功率管的控制端口产生控制信号；R3和R4的上端连接电源；R1的下端口接地；本发明电路结构简单、设计复杂度低且芯片面积小。

本实用新型一种针对电源管理芯片低侧功率管的限流保护电路在权利要求书中公布了：1.一种针对电源管理芯片低侧功率管的限流保护电路，其特征在于，包括：4个电阻R1～R4、4个PNP管Q3～Q6、2个NPN三极管Q1～Q2以及一个电容C1；将三极管Q1作为共基极放大器的输入管，Q1的发射极连接电阻R1，Q1的基极分别与Q1的集电极、Q3的集电极以及Q2的基极相连；Q3的基极连接偏置电压BISA1，Q3的发射极连接电阻R3；将Q2作为带发射极电阻的共集电级放大器的输入管，Q2的发射极连接电阻R2，Q2的集电极连接负载管Q4的集电极、电容C1的另一端、Q5的发射极以及Q6的基极；Q4的基极连接BIAS1，Q4的发射极连接电阻R4；Q5的基极连接连接使能控制信号ENN，集电极接地；Q6的集电极接地，发射极连接到功率管的控制端口产生控制信号EN；R3和R4的上端连接到电源VCC；R1的下端口接地GND_B。

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