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龙图腾网恭喜德州仪器公司申请的专利用于刻划密封结构的方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107799485B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710789958.7，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权用于刻划密封结构的方法及设备是由S·幕克吉;R·塞尔瓦拉杰;V·戈皮纳坦设计研发完成，并于2017-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于刻划密封结构的方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及用于刻划密封结构的方法及设备。实例性集成电路裸片图8，801包含：多个下部层级导体层、位于所述多个下部层级导体层之间的多个下部层级绝缘体层、垂直延伸穿过所述下部层级绝缘体层的多个下部层级导通孔、上覆于所述下部层级导体层上的多个上部层级导体层、位于所述上部层级导体层之间且环绕所述上部层级导体层的多个上部层级绝缘体层、多个上部层级导通孔；至少两个刻划密封805、807，其经布置以形成从半导体衬底垂直延伸到在所述集成电路裸片的上表面处的钝化层的垂直阻挡层；及至少一个开口809，其垂直延伸穿过所述至少两个刻划密封中的一者且延伸穿过：所述上部层级导体层、所述上部层级导通孔层、所述下部层级导体层及所述下部层级导通孔层。

本发明授权用于刻划密封结构的方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种集成电路裸片，其具有不同的第一侧和第二侧，所述集成电路裸片包括：半导体衬底，其具有第一导电类型；第一刻划密封和第二刻划密封，其邻近所述集成电路裸片的外围，所述第一刻划密封和第二刻划密封包含相应的下部层级导体层、下部层级导通孔、上部层级导体层以及上部层级导通孔，所述下部层级导体层上覆于所述半导体衬底，且所述上部层级导体层上覆于所述下部层级导体层，其中所述第一刻划密封和所述第二刻划密封是同心的；下部层级绝缘体层，其位于所述下部层级导体层之间且环绕所述下部层级导体层，所述下部层级导通孔延伸穿过所述下部层级绝缘体层中的若干者且电耦合所述下部层级导体层中的若干者；上部层级绝缘体层，其位于所述上部层级导体层之间且环绕所述上部层级导体层，所述上部层级导通孔延伸穿过所述上部层级绝缘体层中的若干者且电耦合所述上部层级导体层中的若干者；及所述第一刻划密封具有第一开口，所述第一开口邻近所述集成电路裸片的所述第一侧，所述第一开口延伸穿过所述第一刻划密封的上部层级导体层、上部层级导通孔层、下部层级导体层以及下部层级导通孔层；且所述第二刻划密封具有第二开口，所述第二开口邻近所述集成电路裸片的所述第二侧，所述第二开口延伸穿过所述第二刻划密封的上部层级导体层、上部层级导通孔层、下部层级导体层以及下部层级导通孔层；其中所述第一刻划密封包含：所述半导体衬底中的第一经掺杂扩散区，以及所述半导体衬底中的第二经掺杂扩散区，所述第一经掺杂扩散区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一浓度；所述半导体衬底的一部分环绕所述第一经掺杂扩散区且具有所述第一导电类型；所述第二经掺杂扩散区环绕所述部分且具有所述第二导电类型的第二浓度。

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