恭喜应用材料公司M·科罗利克获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利改进的锗蚀刻系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109390228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810877233.8，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权改进的锗蚀刻系统和方法是由M·科罗利克;N·英格尔;D·基欧西斯设计研发完成，并于2018-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本改进的锗蚀刻系统和方法在说明书摘要公布了：用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子体流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。
本发明授权改进的锗蚀刻系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻含锗材料的方法，所述方法包括：在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体；使所述含氟前驱物的等离子体流出物流过腔室部件中限定的孔，其中所述孔被涂覆有催化材料；用所述催化材料来降低所述等离子体流出物中的氟自由基的浓度；将所述等离子体流出物递送到所述半导体处理腔室的处理区域，其中包含含锗材料的基板被容置在所述处理区域中；以及蚀刻所述含锗材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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