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龙图腾网恭喜德州仪器公司申请的专利具有间隔件的倒装芯片集成电路封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110391201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910303953.8，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权具有间隔件的倒装芯片集成电路封装是由J·R·M·巴埃洛;R·J·L·格瓦拉设计研发完成，并于2019-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有间隔件的倒装芯片集成电路封装在说明书摘要公布了：本申请的实施例涉及一种用于倒装芯片封装式集成电路的装置及方法。在所描述实例中，一种设备图4，400包含半导体衬底403及形成于所述半导体衬底403的作用表面上的至少两个柱状凸块405，所述至少两个柱状凸块405延伸远离所述作用表面且具有与所述半导体衬底间隔开的端，其中在所述至少两个柱状凸块的所述端处具有焊接材料413。至少一个间隔件411形成于所述半导体衬底的所述作用表面上，所述至少一个间隔件从所述半导体衬底的所述作用表面延伸预定距离。封装衬底409具有在第一表面上的裸片安装区，所述裸片安装区包含接纳所述至少两个柱状凸块的所述端且接纳所述至少一个间隔件的端的若干部分。模制化合物433覆盖所述半导体衬底、所述至少两个柱状凸块、所述至少一个间隔件及所述半导体衬底的至少一部分。

本发明授权具有间隔件的倒装芯片集成电路封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备，其包括：半导体衬底，其具有上面有接合垫的作用表面；至少两个柱状凸块，其形成于所述接合垫中的至少两者上，所述至少两个柱状凸块延伸远离所述作用表面且具有与所述半导体衬底间隔开的端，其中在所述至少两个柱状凸块的所述端处具有焊接材料；至少一个间隔件，其由单一金属形成，且所述至少一个间隔件形成于所述半导体衬底的所述作用表面上且延伸远离所述半导体衬底，所述至少一个间隔件从所述半导体衬底的所述作用表面延伸预定距离；封装衬底，其具有在第一表面上用于安装所述半导体衬底的裸片安装区，所述裸片安装区包含接纳所述至少两个柱状凸块的所述端且接纳所述至少一个间隔件的端的若干部分；及模制化合物，其覆盖所述半导体衬底、所述至少两个柱状凸块、所述至少一个间隔件及所述封装衬底的至少一部分，其中所述至少一个间隔件的所述预定距离确定所述封装衬底的所述第一表面与所述半导体衬底的所述作用表面之间的间隔。

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