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龙图腾网恭喜半导体组件工业公司申请的专利电子器件和电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110676315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910589185.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权电子器件和电路是由全祐哲;P·文凯特拉曼设计研发完成，并于2019-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子器件和电路在说明书摘要公布了：本公开涉及电路和电子器件。本发明公开了一种电子器件和电路。该电子器件可以包括沟道层和覆盖沟道层的阻挡层。在一个实施方案中，电子器件可以包括沿栅极端子与第一晶体管的栅极电极之间的电流路径设置的部件。在另一个实施方案中，电子器件可以包括第二晶体管，其中该第二晶体管的源极电极和栅极电极耦接到第一晶体管的栅极电极，并且第二晶体管的漏极电极耦接到栅极端子。所述电路可以包括晶体管和二极管。所述晶体管可以包括漏极、栅极和源极，其中漏极耦接到漏极端子，并且源极耦接到源极端子。二极管可以具有耦接到栅极端子的阳极以及耦接到晶体管的栅极的阴极。

本发明授权电子器件和电路在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，包括：沟道层，所述沟道层覆盖基板，其中所述沟道层包含AlzGa1-zN，其中0≤z≤0.1；阻挡层，所述阻挡层覆盖所述沟道层，其中所述阻挡层包含AlxInyGa1-x-yN，其中0x≤0.6且0≤y≤0.3；第一晶体管的栅极电极，所述栅极电极覆盖所述沟道层，其中所述第一晶体管是增强型晶体管；栅极端子；以及第一二极管，其包括阳极和阴极，其中所述阳极耦接到所述栅极端子且所述阴极耦接到所述栅极电极。

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