买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜住友电工光电子器件创新株式会社申请的专利光学半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111064076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910977455.1，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权光学半导体器件及其制造方法是由山路和宏;渡边孝幸设计研发完成，并于2019-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种光学半导体器件及其制造方法，该方法包括：形成第一半导体层；在形成电吸收型调制器的第一区中的第一半导体层上形成第一掩模图案；在第一半导体层上沿着第一方向形成平坦部；在凹凸部上形成第二半导体层；以及在第二半导体层上形成光波导层。第一掩模图案包括在第一区中的第一图案和在形成DFB激光器的第二区中的第二图案，第一图案包括第一开口图案和第一覆盖图案，并且第二图案包括第二开口图案和第二覆盖图案，并且第一开口图案与第一覆盖图案的比率不同于第二开口图案与第二覆盖图案的比率。

本发明授权光学半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光学半导体器件的制造方法，所述光学半导体器件包括电吸收型调制器、DFB激光器以及在半导体衬底上在第一方向上以集成结构连接在所述电吸收型调制器和所述DFB激光器之间的连接区，所述制造方法包括：在半导体衬底上形成第一半导体层；在所述第一半导体层的一部分上形成衍射光栅层；在所述连接区中的所述第一半导体层、形成所述电吸收型调制器的第一区和形成包括在所述DFB激光器中的所述衍射光栅层的第二区上，形成第一掩模图案；使用所述第一掩模图案，在所述连接区中的所述第一半导体层、所述第一区和所述第二区上，沿着所述第一方向形成凹凸部；在设置在所述第一半导体层上的所述凹凸部上形成第二半导体层；在所述第二区中的所述第二半导体层上形成有源层；以及在所述第一区和所述连接区中的所述第二半导体层上形成光波导层，其中，所述第一掩模图案包括在所述第一区中的第一图案和在所述第二区中的第二图案，所述第一图案包括彼此相邻的第一开口图案和第一覆盖图案，并且所述第二图案包括彼此相邻的第二开口图案和第二覆盖图案，并且其中，所述第一开口图案与所述第一覆盖图案的比率不同于所述第二开口图案与所述第二覆盖图案的比率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人住友电工光电子器件创新株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。