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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910954411.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法是由杨城;蔡明蒲设计研发完成，并于2019-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法。所述电容承接板的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底和位于衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；形成导电层于所述基底表面；形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有第一刻蚀图形；形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有第二刻蚀图形；以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成相对于所述字线倾斜一预设角度的电容承接板。本发明能够有效的控制电容承接板的尺寸以及相邻电容承接板之间的间距。

本发明授权电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容承接板的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；形成导电层于所述基底表面；形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有沿第一方向延伸的第一刻蚀图形；形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有沿第二方向延伸的第二刻蚀图形，所述第一方向与所述第二方向倾斜相交；以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成与若干电容触点一一对应的若干电容承接板，所述电容承接板相对于所述字线倾斜一预设角度。

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