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龙图腾网恭喜珠海多创科技有限公司申请的专利一种TMR全桥磁传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110824392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911013945.6，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种TMR全桥磁传感器及其制备方法是由刘明;胡忠强;周子尧;毛若皓;关蒙萌设计研发完成，并于2019-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TMR全桥磁传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：TMR全桥磁传感器，包括：基片和设置于所述基片上的TMR单元，所述TMR单元包括自由层、钉扎层和隧道层，4组TMR单元桥式连接形成全桥结构，4组TMR单元分别位于全桥结构的4个桥臂上；所述TMR单元的长宽比不等于1，位于相邻桥臂上的TMR单元的长轴相互垂直，位于相对桥臂上的TMR单元的长轴相互平行。本发明根据TMR单元的长轴方向来布置全桥结构上的TMR单元，使相邻桥臂上的TMR单元的长轴方向互相垂直，相对桥臂上的TMR单元的长轴方向相互平行，从而通过在磁场退火时施加特定角度的外加磁场，得以一次性在单一芯片上形成全桥结构，大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。

本发明授权一种TMR全桥磁传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.TMR全桥磁传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基片；在所述基片上沉积TMR单元及电极，4组TMR单元桥式连接形成全桥结构，全桥结构的每一桥臂上设置一组TMR单元，相邻桥臂上的TMR单元的长轴相互垂直，相对桥臂上的TMR单元的长轴相互平行；对所述TMR单元进行磁场退火处理，退火时所施加的磁场方向和所述TMR单元的长轴方向成45°夹角，退火完成后，相邻桥臂上的TMR单元的钉扎层的磁矩方向不同，相对桥臂上的TMR单元的钉扎层的磁矩方向相同。

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