恭喜三星电子株式会社孙荣晥获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111354731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911014685.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维半导体存储器件是由孙荣晥;韩智勋设计研发完成，并于2019-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：提供了三维3D半导体存储器件。一种3D半导体存储器件包括衬底上的电极结构。电极结构包括堆叠在衬底上的栅电极。栅电极包括电极焊盘区。该3D半导体存储器件包括穿透一个电极焊盘区的虚设竖直结构。虚设竖直结构包括虚设竖直半导体图案和从虚设竖直半导体图案的一部分朝向衬底延伸的接触图案。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维3D半导体存储器件，包括：衬底；所述衬底上的电极结构，所述电极结构包括沿相对于所述衬底的顶表面竖直的第一方向堆叠的栅电极，所述栅电极包括电极焊盘区；以及穿透一个电极焊盘区的虚设竖直结构，其中所述虚设竖直结构包括：虚设竖直半导体图案，沿所述第一方向延伸以穿透所述一个电极焊盘区并延伸到所述衬底中；虚设数据存储图案，在所述虚设竖直半导体图案和所述衬底之间，以便将所述虚设竖直半导体图案和所述衬底间隔开；以及接触图案，从所述虚设竖直半导体图案的底部穿过所述虚设数据存储图案的一部分延伸到所述衬底中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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