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龙图腾网恭喜意法半导体股份有限公司申请的专利单端相变存储器设备及读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111128275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911039399.3，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权单端相变存储器设备及读取方法是由M·帕索蒂;R·祖尔拉;A·卡布里尼;G·托瑞利;F·G·沃尔普设计研发完成，并于2019-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本单端相变存储器设备及读取方法在说明书摘要公布了：本公开涉及单端相变存储器设备及读取方法。一种相变存储器设备，包括：PCM单元的存储器阵列、可变电流生成器和感测放大器。电流生成器包括被编程为处于设置电阻状态的PCM单元的基准阵列。相变存储器设备还包括解码器和控制器，解码器用于对基准阵列的每个单元进行寻址，以便通过多个基准单元生成相应的多个设置电流信号；控制器被配置成在输入处接收该设置电流信号，从多个设置电流信号中选择一定数目的具有最低电流值的设置电流信号，计算该最低电流值的平均值，并且将基准电流调整为低于该平均值。

本发明授权单端相变存储器设备及读取方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器设备，包括：电流生成器，被配置成输出基准电流；存储器阵列，所述存储器阵列包括相变材料的多个存储器单元，所述多个存储器单元可编程为处于设置电阻状态和重置电阻状态，并且所述存储器阵列被配置成：在所述多个存储器单元中的存储器单元的读取操作期间，输出指示被读取的所述存储器单元的所述设置电阻状态或所述重置电阻状态的读取电流；以及读取级，所述读取级被耦合到所述电流生成器和所述存储器阵列，所述读取级被配置成：接收所述基准电流和所述读取电流，并且将所述读取电流与所述基准电流相比较，以输出指示被存储在被读取的所述存储器单元中的逻辑数据的结果；其中所述电流生成器包括基准阵列，所述基准阵列包括所述相变材料的多个基准单元，所述多个基准单元被编程为处于所述设置电阻状态；解码器，被配置成对所述基准阵列的所述基准单元进行寻址，以便相应的多个设置电流信号被生成；以及控制器，被配置成接收所述多个设置电流信号，选择一定数目的具有最低电流值的所述设置电流信号，计算所述最低电流值的平均值，并且将所述基准电流调整为低于所述平均值。

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