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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911080780.4，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴秉桓设计研发完成，并于2019-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法；包括如下步骤：提供晶圆，晶圆内具有切割道，切割道内具有测试焊盘、第一测试结构及第二测试结构；第二测试结构位于第一测试结构的下方，第二测试结构与第一测试结构之间的横向间距至少为测试焊盘的宽度；于晶圆上形成保护层，保护层至少覆盖切割道；对保护层进行曝光显影，以使得第一测试结构上方保留的保护层的厚度大于第二测试结构上方保留的保护层的厚度。上述半导体结构的制备方法将第二测试结构上方的保护层去除减薄，可以减少切割道内保护层的量，在使用锯刀进行晶圆切割时，可以避免保护层沾粘锯刀，从而提高产能并节约制造成本。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供晶圆，所述晶圆内具有切割道，所述切割道内具有测试焊盘、第一测试结构及第二测试结构；所述第二测试结构所在的平面位于所述第一测试结构所在的平面的下方，所述第二测试结构相对于所述第一测试结构沿所述切割道延伸方向偏移，所述第二测试结构与所述第一测试结构之间的间距在沿着所述切割道延伸方向上至少为所述测试焊盘的宽度；于所述晶圆上形成保护层，所述保护层至少覆盖所述切割道；对所述保护层进行曝光显影，以使得所述第一测试结构上方保留的所述保护层的厚度大于所述第二测试结构上方保留的所述保护层的厚度。

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