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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种传入神经元电路及机械感受系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112819146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911127991.9，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种传入神经元电路及机械感受系统是由刘琦;张续猛;刘明;吕杭炳;吴祖恒设计研发完成，并于2019-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种传入神经元电路及机械感受系统在说明书摘要公布了：本发明属于类脑仿生技术领域，公开了一种传入神经元电路，包括：电阻Rc与易失性阈值转变器件TS；所述易失性阈值转变器件TS具有寄生电容CParasitic；所述电阻Rc的第一端作为信号输入端，所述电阻Rc的第二端作为信号输出端；所述易失性阈值转变器件TS的第一端与所述信号输出端相连，所述易失性阈值转变器件TS的第二端接地。本发明提供的传入神经元电路结构简单，可畏缩性好，适于大规模集成使用。

本发明授权一种传入神经元电路及机械感受系统在权利要求书中公布了：1.一种传入神经元电路，其特征在于，包括：电阻Rc与易失性阈值转变器件TS；所述易失性阈值转变器件TS具有寄生电容CParasitic；所述电阻Rc的第一端作为信号输入端，所述电阻Rc的第二端作为信号输出端；所述易失性阈值转变器件TS的第一端与所述信号输出端相连，所述易失性阈值转变器件TS的第二端接地；其中：所述传入神经元电路采用半导体集成结构；所述易失性阈值转变器件TS包括：第一衬底11；第一隔离层12，形成于所述的第一衬底11上；第一下电极13，形成于所述第一隔离层12上；第二隔离层14，形成于所述第一下电极13上；第一功能层15，形成于所述第二隔离层14上，且所述第一功能层15的中部通过蚀刻的通孔与所述第一下电极13相连；第一中间电极16，形成于所述第一功能层15上；所述第一中间电极16上沉淀第一电阻薄膜17作为所述电阻Rc，所述第一电阻薄膜17上沉积第一上电极18；当信号输入端有输入信号时，通过所述电阻Rc对所述寄生电容CParasitic进行充电；当所述寄生电容CParasitic两端的电压超过所述易失性阈值转变器件TS的转变电压时，所述易失性阈值转变器件TS转变为低阻态，所述寄生电容CParasitic通过所述易失性阈值转变器件TS进行放电；当所述寄生电容CParasitic两端的电压降低到所述易失性阈值转变器件TS的保持电压时，所述易失性阈值转变器件TS转变为高阻态，所述寄生电容CParasitic通过所述电阻Rc再次进行充电。

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