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龙图腾网恭喜杭州士兰集昕微电子有限公司申请的专利一种功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222356845U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420880498.4，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种功率半导体器件是由杨彦涛;吴晶;陈琛;郭广兴设计研发完成，并于2024-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率半导体器件，包括半导体衬底；多个沟槽，位于半导体衬底中，多个沟槽包括位于半导体衬底的第一区域的第一沟槽、第二区域的第二沟槽和第三区域的第三沟槽，第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度且第三沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度；第一屏蔽导体，位于第一沟槽的下部；栅极导体，位于第一沟槽的上部；第二屏蔽导体，位于第二沟槽的下部；栅极布线，位于第二沟槽的上部；屏蔽布线，位于所述第三沟槽中；体区，位于半导体衬底中；源区，位于第一区域的体区中；源极电极，与源区电连接；栅极电极，与栅极布线电连接；屏蔽电极，与屏蔽布线电连接；以及漏极电极，位于半导体衬底远离体区的一侧表面。

本实用新型一种功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；多个沟槽，位于半导体衬底中，所述多个沟槽包括位于所述半导体衬底的第一区域的第一沟槽、第二区域的第二沟槽和第三区域的第三沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度且所述第三沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度；第一屏蔽导体，位于所述第一沟槽的下部，所述第一屏蔽导体和所述半导体衬底之间经由屏蔽介质层隔离；栅极导体，位于所述第一沟槽的上部，所述栅极导体和所述半导体衬底之间经由栅介质层隔离，且所述栅极导体和所述第一屏蔽导体之间经由第一绝缘层隔离；第二屏蔽导体，位于所述第二沟槽的下部，所述第二屏蔽导体和所述半导体衬底之间经由所述屏蔽介质层隔离；栅极布线，位于所述第二沟槽的上部，所述栅极布线和所述半导体衬底之间经由所述栅介质层隔离，所述第二屏蔽导体和所述栅极布线之间经由第二绝缘层隔离；屏蔽布线，位于所述第三沟槽中，所述屏蔽布线经由所述屏蔽介质层与所述半导体衬底隔离，所述屏蔽布线与所述屏蔽导体电连接；体区，位于所述半导体衬底中，所述体区邻近所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的上部，且为第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；源区，位于所述第一区域的体区中，所述源区为第一掺杂类型；源极电极，与所述源区电连接；栅极电极，与所述栅极布线电连接；屏蔽电极，与所述屏蔽布线电连接；以及漏极电极，位于所述半导体衬底远离所述体区的一侧表面。

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