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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420733B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910811139.7，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权存储器元件及其制造方法是由沈冠源设计研发完成，并于2019-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种存储器元件及其制造方法，存储器元件包括堆叠结构、柱、停止层以及接触插塞。所述堆叠结构，包括多个导体层。所述柱穿过所述堆叠结构。所述柱包括多个串联的存储单元，所述多个串联的存储单元在所述柱位置布局图案中位于所述柱与所述导体层的多个交叉点处。所述第一停止层覆盖所述堆叠结构以及部分所述柱的顶面。所述接触插塞穿过所述第一停止层，延伸至所述柱中，且与所述多个串联的存储单元电性连接。所述接触窗着陆于所述接触插塞上，借由接触插塞与部分所述柱通道层电性连接。

本发明授权存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器元件，其特征在于，包括：堆叠结构，包括多个导体层；柱，穿过所述堆叠结构，其中所述柱包括多个串联的存储单元，所述多个串联的存储单元在柱位置布局图案中位于所述柱与所述导体层的多个交叉点处；第一停止层，覆盖所述堆叠结构以及部分所述柱的顶面；接触插塞，穿过所述第一停止层，并延伸至所述柱中，其中所述接触插塞与所述多个串联的存储单元电性连接；以及接触窗，着陆于所述接触插塞上或所述第一停止层上，借由所述接触插塞与部分的所述柱电性连接；其中，所述接触插塞的顶面与所述第一停止层的顶面共平面。

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