武汉华星光电半导体显示技术有限公司郑园获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222582911U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420671301.6，技术领域涉及：H10K59/121；该实用新型显示面板是由郑园;管延庆;方宏设计研发完成，并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示面板，显示面板包括显示区及非显示区，显示面板还包括多个测试端子、多个薄膜晶体管、多条第一数据信号线、多条第二数据信号线以及多条控制信号线，第一数据信号线、测试端子、薄膜晶体管、第二数据信号线以及控制信号线设于非显示区，薄膜晶体管包括半导体层、设于半导体层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的栅极、与半导体层电连接的源极以及与半导体层电连接的漏极，源极或漏极中的一者与第一数据信号线电连接，源极或漏极中的另一者与第二数据信号线电连接，控制信号线与栅极电连接，半导体层上还设有开孔，开孔位于源极与栅极之间或和开孔位于漏极与栅极之间。
本实用新型显示面板在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区及非显示区，所述非显示区内设有多个测试端子以及多个检测电路，所述检测电路与所述测试端子电连接，所述检测电路包括多个薄膜晶体管、多条第一数据信号线、多条第二数据信号线以及多条控制信号线，所述薄膜晶体管包括半导体层、设于所述半导体层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的栅极、与所述半导体层电连接的源极以及与所述半导体层电连接的漏极，所述源极或所述漏极中的一者与所述第一数据信号线电连接，所述源极或所述漏极中的另一者与所述第二数据信号线电连接，所述控制信号线与所述栅极电连接，所述半导体层包括第一部分以及位于所述第一部分两侧的第二部分，在所述显示面板的俯视图中，所述第一部分与所述栅极重叠，所述第二部分位于所述源极与所述栅极之间或所述第二部分位于所述漏极与所述栅极之间，所述第一部分在第一方向上的长度大于所述第二部分在所述第一方向上的长度，其中，所述第一方向与所述控制信号线的延伸方向相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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