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龙图腾网恭喜扬州国宇电子有限公司申请的专利一种基于复合多环区的快恢复二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118213412B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410314494.4，技术领域涉及：H10D8/20；该发明授权一种基于复合多环区的快恢复二极管及其制备方法是由王圣涛;李浩;王伟;陆宇;苗笑笑设计研发完成，并于2024-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于复合多环区的快恢复二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件技术领域内的一种基于复合多环区的快恢复二极管，包括：阴极金属层、N+衬底、N缓冲层、N‑漂移区、氧化层、势垒合金、金属场板和钝化层，轻掺杂P‑区设置于N‑漂移区内上部，元胞区和各场环区域内分别设置有掺杂P+区，截止环内设置有重掺杂N+区，各掺杂P+区和重掺杂N+区均设置于轻掺杂P‑区内，各掺杂P+区和重掺杂N+区内还设置有重掺杂P+区；其中，轻掺杂P‑区下部浓度，各掺杂P+区、重掺杂N+区和重掺杂P+区的浓度均以对应元胞区或环区的窗口中点为中心呈二次函数分布。该快恢复二极管通过复合多场环结构可以大幅增加反向耐压能力，减少反向漏电，并有效保证其可靠运行。

本发明授权一种基于复合多环区的快恢复二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于复合多环区的快恢复二极管，其特征在于，包括：N+衬底；N缓冲层，设置于所述N+衬底上方；N-漂移区，设置于所述N缓冲层上方；元胞区和环区，位于所述N-漂移区上部，所述环区包括多个场环和一个截止环，多个所述场环和一个截止环均与所述元胞区同圆心设置且间隔分布，所述截止环位于最外圈所述场环的外周；氧化层，设置于所述N-漂移区上方，所述氧化层上开设有与所述元胞区和所述环区对应的窗口；轻掺杂P-区，设置于所述N-漂移区内；所述元胞区和各所述场环区域内分别设置有掺杂P+区，所述截止环内设置有重掺杂N+区，各所述掺杂P+区和所述重掺杂N+区均设置于所述轻掺杂P-区内，各所述掺杂P+区和所述重掺杂N+区内还设置有重掺杂P+区；势垒合金，设置于各所述元胞区和所述环区上方；金属场板，设置于所述氧化层和所述势垒合金上方；钝化层，设置于所述金属场板上方；阴极金属层，设置于所述N+衬底下方；其中，所述轻掺杂P-区下部浓度分别以各所述元胞区和所述环区的窗口中点为中心呈二次函数分布，各所述掺杂P+区、所述重掺杂N+区和所述重掺杂P+区的浓度均以对应所述元胞区或所述环区的窗口中点为中心呈二次函数分布。

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