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龙图腾网获悉芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118136686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410184350.1，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由赵亮亮;李勇;孙伟设计研发完成，并于2024-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，方法包括：提供衬底，在衬底中形成漂移区；在漂移区中形成多个沟道间隔区，每两个沟道间隔区之间存在有间隔以形成沟道区；在漂移区中形成源极接触区、漏极接触区以及栅极接触区，以及在衬底中形成衬底接触区，衬底接触区与漂移区彼此间隔设置，其中，栅极接触区位于源极接触区和漏极接触区之间，沟道区连通源极接触区与漏极接触区。本发明的方案形成多个沟道间隔区，在每两个沟道间隔区之间都存在有间隔以形成沟道区，能够在通过调整沟道区的宽度来调节器件的夹断电压的同时，保证器件在导通时有足够高的导通电流，进而降低了器件的导通电阻，减小了器件的功耗，提高了器件性能。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；漂移区，自所述衬底的第一表面延伸至所述衬底中，所述漂移区具有第二导电类型；多个沟道间隔区，位于所述漂移区中且暴露于所述第一表面，每相邻两个所述沟道间隔区之间存在有间隔以形成沟道区，所述沟道间隔区具有第一导电类型；源极接触区、漏极接触区与栅极接触区，位于所述漂移区中，所述栅极接触区位于所述源极接触区与所述漏极接触区之间，所述沟道区连通所述源极接触区与所述漏极接触区，所述源极接触区与所述漏极接触区具有所述第二导电类型，所述栅极接触区具有所述第一导电类型；衬底接触区，位于所述衬底中且与所述漂移区彼此间隔设置，所述衬底接触区具有所述第一导电类型；第一场氧化层与第二场氧化层，位于所述漂移区中，其中，所述第一场氧化层位于所述栅极接触区与所述漏极接触区之间，所述第二场氧化层位于所述栅极接触区与所述源极接触区之间；第一栅极结构与第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构位于所述第一场氧化层上并部分延伸至所述漂移区上，所述第二栅极结构位于所述第一场氧化层上且位于所述第一栅极结构靠近所述漏极接触区的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号-17；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。