恭喜横店集团东磁股份有限公司张磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜横店集团东磁股份有限公司申请的专利太阳能电池的正面减反射膜结构及太阳能电池、电池组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222582889U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420167181.6，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型太阳能电池的正面减反射膜结构及太阳能电池、电池组件是由张磊;高书杰;任勇;刘帅;毛兵兵设计研发完成，并于2024-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池的正面减反射膜结构及太阳能电池、电池组件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种太阳能电池的正面减反射膜结构及太阳能电池、电池组件，所述正面减反射膜结构包括依次层叠设置的第一氧化硅层、氮化硅层、第一氮氧化硅层、第二氮氧化硅层以及第二氧化硅层，第二氧化硅层为入光侧。本实用新型所述的正面减反射膜结构中，通过特定厚度以及特定折射率的第一氧化硅层、氮化硅层、第一氮氧化硅层、第二氮氧化硅层、第二氧化硅层之间的相互配合，能够在保证电池转化效率的同时改善电池组件的电势诱导衰减现象，提升电池组件的可靠性。
本实用新型太阳能电池的正面减反射膜结构及太阳能电池、电池组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的正面减反射膜结构，其特征在于，包括依次层叠设置的第一氧化硅层、氮化硅层、第一氮氧化硅层、第二氮氧化硅层以及第二氧化硅层，所述第二氧化硅层为入光侧；其中，所述第一氧化硅层的厚度为2nm-10nm，折射率为1.9-2.1；所述氮化硅层由至少两层的氮化硅膜组成，所述氮化硅膜的折射率由靠近所述第一氧化硅层的一侧向靠近所述第一氮氧化硅层的方向依次递减，且靠近所述第一氧化硅层的氮化硅膜的厚度为10nm-20nm，折射率为2.3-2.4，靠近所述第一氮氧化硅层的氮化硅膜的厚度为20nm-30nm，折射率为2.0-2.2；所述第一氮氧化硅层的厚度为5nm-15nm，折射率为1.8-1.95；所述第二氮氧化硅层的厚度为5nm-15nm，折射率为1.7-1.85；所述第二氧化硅层的厚度为5nm-15nm，折射率为1.6-1.8。
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