恭喜嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司;盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司张强获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司;盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司申请的专利背接触电池及光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222582881U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323663997.2，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型背接触电池及光伏组件是由张强;李硕设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种背接触电池及光伏组件，所述背接触电池包括：硅片；隧穿氧化层，所述隧穿氧化层设于所述硅片的厚度方向的一侧表面的一部分；第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层设于所述隧穿氧化层的厚度方向上的远离所述硅片的一侧，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为d1，其中，所述d1满足：60nm≤d1≤80nm。根据本实用新型的背接触电池，通过在硅片一侧表面的部分设置特定厚度和特定有效掺杂浓度的第一掺杂多晶硅层，同时保证了第一掺杂多晶硅层的接触性能和优异钝化效果。这样，可以降低第一掺杂多晶硅层的吸光效应，从而大大提升了背接触电池的短路电流，进而提升了背接触电池的转化效率。
本实用新型背接触电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：硅片；隧穿氧化层，所述隧穿氧化层设于所述硅片的厚度方向的一侧表面的一部分；第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层设于所述隧穿氧化层的厚度方向上的远离所述硅片的一侧，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为d1，其中，所述d1满足：60nm≤d1≤80nm；所述第一掺杂多晶硅层为有效掺杂浓度为1e20cm-3～1.5e21cm-3掺杂多晶硅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司;盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，其通讯地址为：314001 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号