恭喜安徽格恩半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器封装器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222581773U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323511442.6，技术领域涉及：H01S5/024；该实用新型一种半导体激光器封装器件是由郑锦坚;蓝家彬;胡志勇;黄军;张钰;张江勇;李水清;王星河设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器封装器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体激光器封装器件，包括：管座，设置在管座下方的管脚，以及安装在管座上的管舌；管舌上安装热沉和激光器芯片；激光器芯片与热沉之间具有第一连接层；热沉与管舌之间具有第二连接层；设计第一连接层、热沉、第二连接层、管座的热阻微积分曲线的变化角度，提升界面的导热通道和界面热阻陡峭度，形成多重界面导热通道和倾斜的界面热阻陡峭度，使第一连接层和第二连接层的空洞率从25～50％下降至0～25％之间，并降低出射端面的发热量，降低腔面的热密度和腔面负荷，降低激光器烧孔效应和烧毁比例，延长激光器的寿命，使激光器的寿命光衰小于50％从1万小时提升至5万小时。
本实用新型一种半导体激光器封装器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器封装器件，其特征在于，包括：管座，设置在所述管座下方的管脚，以及安装在所述管座上的管舌；所述管舌上安装热沉和激光器芯片；所述激光器芯片与所述热沉之间具有第一连接层；所述热沉与管舌之间具有第二连接层；所述第一连接层的热阻微积分曲线的谷值位置往管座方向的上升角度为α，所述热沉的热阻微积分曲线的谷值位置往管座方向的上升角度为β，所述第二连接层的热阻微积分曲线的谷值位置往管座方向的上升角度为γ，所述管座的热阻微积分曲线的谷值位置往管座方向的上升角度为θ，其中：10°≤α≤θ≤β≤γ≤85°。
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