恭喜意法半导体国际公司A·兹莫获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体国际公司申请的专利雪崩光电二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222582874U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323497577.1，技术领域涉及：H10F30/225；该实用新型雪崩光电二极管是由A·兹莫;D·戈兰斯基;S·普雷斯;G·玛钱德设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本雪崩光电二极管在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种雪崩光电二极管。本实用新型的一个目的是提供一种改进的雪崩光电二极管。一种雪崩光电二极管，包括：适于被反向偏置的主PN结；以及多个半导体区域，所述多个半导体区域至少包括：第一区域，所述第一区域是第一导电类型的外延半导体区域；第二区域，所述第二区域是第二导电类型的半导体区域，所述第二区域被布置为至少部分地围绕所述第一区域，并且包括与所述第一区域的表面接触的表面；以及第三区域。由此，提供了一种改进的雪崩光电二极管。
本实用新型雪崩光电二极管在权利要求书中公布了：1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：适于被反向偏置的主PN结；以及多个半导体区域，所述多个半导体区域至少包括：第一区域，所述第一区域是第一导电类型的外延半导体区域；第二区域，所述第二区域是第二导电类型的半导体区域，所述第二区域被布置为至少部分地围绕所述第一区域，并且包括与所述第一区域的表面接触的表面；以及第三区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士日内瓦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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