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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利（三氟乙酰基）苯并三唑辅助制备太阳电池的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117615622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311641548.X，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权（三氟乙酰基）苯并三唑辅助制备太阳电池的方法是由张晓丹;戴峣;赵颖设计研发完成，并于2023-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本（三氟乙酰基）苯并三唑辅助制备太阳电池的方法在说明书摘要公布了：三氟乙酰基苯并三唑辅助制备太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，本发明太阳电池的活性吸光层为添加剂三氟乙酰基苯并三唑辅助生长的钙钛矿半导体材料APbX3，其中A为烷基胺、烷基脒或碱族元素中至少一种，X为碘、溴和氯中至少一种。本发明通过在钙钛矿溶液中加入微量三氟乙酰基苯并三唑，调控了钙钛矿活性层的薄膜形貌和结晶性，改善了载流子的传输和收集；钝化了钙钛矿吸光层的体相缺陷，利用材料的紫外异构性质，提高了钙钛矿薄膜以及器件的紫外稳定性；改善了钙钛矿太阳能电池的正反扫差异，保证了稳态输出，提高了电池效率和重复性，使得电池的光电转化得到明显的提升。

本发明授权（三氟乙酰基）苯并三唑辅助制备太阳电池的方法在权利要求书中公布了：1.（三氟乙酰基）苯并三唑辅助制备太阳电池的方法，该方法包括：钙钛矿太阳电池，从下到上依次包括底部基板1、底透明导电层2、底载流子传输层3、钙钛矿层4、顶载流子传输层5和顶金属电极层6；底透明导电层2通过磁控溅射生长在底层基板1的上表面；底载流子传输层3通过溶液旋涂生长在底部基板1；钙钛矿层4通过溶液旋涂生长在底透明导电层2之上，中间通过底载流子传输层3连接；顶载流子传输层5和顶金属电极层6依次置于钙钛矿层4的上侧；其中，钙钛矿层4为添加剂（三氟乙酰基）苯并三唑辅助生长的钙钛矿半导体材料APbX3，A为烷基胺、烷基脒或碱族元素中至少一种，Pb元素来源于PbI2或PbBr2，X为碘、溴或氯中至少一种；将（三氟乙酰基）苯并三唑与钙钛矿前驱体溶液按照一定的比例混合后，旋涂退火制备得到钙钛矿层4；前驱体溶液为钙钛矿半导体材料APbX3与溶剂为体积比DMF：DMSO=1:1的混合溶液，添加的（三氟乙酰基）苯并三唑的浓度为0.5-2.5摩尔百分比；在旋涂速度为5000转每分钟，时间50秒，结束前26秒，将乙酸乙酯倒在旋转基板上，然后放置于100摄氏度热板上退火30分钟，制备得到钙钛矿层4。

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