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恭喜江苏索力德普半导体科技有限公司彭振峰获国家专利权

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龙图腾网恭喜江苏索力德普半导体科技有限公司申请的专利可改善击穿特性的沟槽型功率器件及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117497577B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311635039.6,技术领域涉及:H10D12/00;该发明授权可改善击穿特性的沟槽型功率器件及制备方法是由彭振峰;王万;李娜;柴晨凯设计研发完成,并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

可改善击穿特性的沟槽型功率器件及制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种沟槽型功率器件及制备方法,尤其是一种可改善击穿特性的沟槽型功率器件及制备方法。按照本发明提供的技术方案,一种可改善击穿特性的沟槽型功率器件,所述沟槽型功率器件包括:半导体基板,呈第一导电类型;有源区,制备于所述半导体基板的中心区,包括若干并联成一体的元胞,其中,有源区内的元胞采用沟槽结构,所述元胞沟槽的槽底位于横贯有源区内第二导电类型基区的下方;在第二导电类型基区内设置第一导电类型载流子存储层,所述第一导电类型载流子存储层与相应元胞沟槽的外侧壁接触。本发明改善功率器件的击穿特性,降低功率器件的导通损耗,提高开关速度,有效降低导通压降。

本发明授权可改善击穿特性的沟槽型功率器件及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种可改善击穿特性的沟槽型功率器件,其特征是,所述沟槽型功率器件包括:半导体基板,呈第一导电类型,所述半导体基板包括第一导电类型漂移区;有源区,制备于所述半导体基板的中心区,包括若干并联成一体的元胞,其中,有源区内的元胞采用沟槽结构,元胞沟槽的槽底位于横贯有源区内第二导电类型基区的下方;在第二导电类型基区内设置第一导电类型载流子存储层,所述第一导电类型载流子存储层与相应元胞沟槽的外侧壁接触;对任一元胞沟槽,包括元胞主沟槽以及对称分布于所述元胞主沟槽两侧的元胞辅沟槽单元,其中,所述元胞辅沟槽单元至少包括一个元胞辅沟槽;在元胞主沟槽内填充栅极体,所述栅极体通过覆盖元胞主沟槽内壁的主沟槽氧化层与所在的元胞主沟槽内壁绝缘隔离;在元胞辅沟槽内填充源极体,所述源极体通过覆盖元胞辅沟槽内壁的辅沟槽氧化层与所在的元胞辅沟槽内壁绝缘隔离;栅极体与栅极金属电连接,且所有元胞辅沟槽内的源极体均与源极金属电连接;第一导电类型载流子存储层至少分布于元胞主沟槽与邻近所述元胞主沟槽的元胞辅沟槽之间的第二导电类型基区内;在元胞主沟槽以及每个元胞辅沟槽的下方均设置第一导电类型埋层,所述第一导电类型埋层包覆所对应的元胞主沟槽和元胞辅沟槽的槽底,且所述第一导电类型埋层的掺杂浓度大于所述第一导电类型漂移区的掺杂浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人江苏索力德普半导体科技有限公司,其通讯地址为:214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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