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龙图腾网恭喜北京元六鸿远电子科技股份有限公司申请的专利一种抗还原低温烧结C0G陶瓷介质材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116947486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311008607.X，技术领域涉及：C04B35/49；该发明授权一种抗还原低温烧结C0G陶瓷介质材料及其制备方法和应用是由杨魁勇;程华容;张旭;宋蓓蓓;齐世顺设计研发完成，并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗还原低温烧结C0G陶瓷介质材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的陶瓷材料，包括以下质量份的组分：79.80～96.10份SrZrO3，0.63～17.55份Mg2SiO4，2.55～3.60份SrTiO3，0.8～4.1份改性剂和8.00～10.5份烧结助剂；所述改性剂包括MnO2、MgO、Y2O3、Dy2O3、Nd2O3、Sm2O3和Al2O3中的至少四种物质；所述烧结助剂包括Li2CO3、H3BO3、BaCO3、ZnO和SiO2中至少四种物质。以本发明提供的陶瓷材料作为介质材料制备得到的铜电极MLCC具有低损耗、高绝缘电阻特点。

本发明授权一种抗还原低温烧结C0G陶瓷介质材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷材料，其特征在于，包括以下质量份的组分：SrZrO379.8~96.1份；Mg2SiO40.63~17.55份；SrTiO32.55~3.60份；改性剂0.8~4.1份；烧结助剂8.00~10.5份；所述改性剂包括以下质量份的组分：MnO20.2~0.4份；MgO0~0.5份；Y2O30.6~1.2份；Dy2O30~0.6份；Nd2O30~0.6份；Sm2O30~0.5份；Al2O30~0.8份；MgO、Dy2O3、Nd2O3、Sm2O3和Al2O3中至少有两种物质的质量份数不能同时为0；所述烧结助剂包括以下质量份的组分：Li2CO35~9份；H3BO315~25份；BaCO335~50份；ZnO3~10份；SiO210~25份。

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