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龙图腾网恭喜南京百识电子科技有限公司申请的专利一种用于高压器件的碳化硅厚外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117071062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311005444.X，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种用于高压器件的碳化硅厚外延片是由肖陆军;罗艾;陈威佑;蔡清富设计研发完成，并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高压器件的碳化硅厚外延片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于高压器件的碳化硅厚外延片，有效解决外延片晶体缺陷和抗烧蚀性能差的问题。通过对碳化硅衬底进行涂布改性碳膜的方法，在外延和退火过程中通过碳膜的碳原子迁移，补充外延层的碳空位，从而实现碳空位修复的目的，提高碳化硅外延片载流子寿命的目的。其次在改性碳膜中掺杂铝粒子以提高其抗烧蚀性能，Al具有较高的熔点和较大的相变潜热，导热系数高、抗高温氧化性能好，氧化形成的Al2O3具有熔点高、热膨胀系数低、良好的力学性能和耐腐蚀等优点，能充当隔热层并防止氧气扩散到内部SiC层中，实现表面裂纹自愈合，显著提高碳化硅厚外延片的抗烧蚀性能，对半导体器件的研制也具有重要的意义。

本发明授权一种用于高压器件的碳化硅厚外延片在权利要求书中公布了：1.一种用于高压器件的碳化硅厚外延片，其特征在于，该用于高压器件的碳化硅厚外延片由如下步骤制得：在碳化硅衬底的碳面涂布改性碳膜，置于外延炉反应室内，通入氢气，升温后，通入硅源、碳源和掺杂源，在碳化硅衬底的硅面生长外延层至指定厚度，退火，降至室温，对晶片进行硅面蓝膜保护，抛去碳膜，得到高压器件的碳化硅厚外延片；所述改性碳膜由如下步骤制得：步骤S1，将石墨烯纳米片加入无水乙醇中，超声分散，得到混合液a；步骤S2，将铝粉加入无水乙醇中，搅拌均匀，得到混合液b；步骤S3，将混合液a和混合液b混合后干燥，将干燥后的粉末进行球磨，最后真空热压烧结，得到预制颗粒；步骤S4，将抗坏血酸溶解于蒸馏水，搅拌均匀，然后转移至反应釜中，向其中加入预制颗粒，200-210℃反应6-7h，离心、洗涤、干燥，得到半成品；步骤S5，将半成品溶解在蒸馏水中，得到改性碳膜。

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