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恭喜中南大学刘楚明获国家专利权

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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117089751B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310911580.9,技术领域涉及:C22C23/06;该发明授权一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金及其制备方法是由刘楚明;蒋树农;马亚杰;高永浩;万迎春设计研发完成,并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金及其制备方法,属于镁合金材料技术领域。本发明提供的低合金化室温高塑性高阻尼镁合金包括以下质量百分比的元素:Gd:0.5~1.5%,Zn:0.5~0.9%,Zr:0.3~0.6%,余量为Mg。本发明通过在镁基体中添加低含量的Gd、Zn和Zr元素,不仅能够起到固溶强化、析出强化和细晶强化多重作用,而且在多种元素的交互作用下促进镁合金非基面位错滑移,激发位错型阻尼机制,有效提高镁合金塑性和阻尼性能。本发明提供的低合金化室温高塑性高阻尼镁合金具有优良的塑性和阻尼性能,同时还能够使镁合金具有较高的强度,尤其是较高的屈服强度,使镁合金具有更广泛的应用前景。

本发明授权一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金的制备方法,其特征在于,所述低合金化室温高塑性高阻尼镁合金包括以下质量百分比的元素:Gd:0.6~1.4%,Zn:0.6~0.8%,Zr:0.35~0.55%和余量Mg,所述低合金化室温高塑性高阻尼镁合金中的Gd与Zn的质量比值为:1.0≤GdZn≤3.0;所述低合金化室温高塑性高阻尼镁合金的制备方法,包括以下步骤:1将合金原料依次进行熔化、精炼、静置和半连续铸造,得到镁合金铸锭;2将所述步骤1得到的镁合金铸锭依次进行均匀化退火处理和挤压,得到所述低合金化室温高塑性高阻尼镁合金;所述步骤1中静置的温度为720~730℃,所述静置的时间为30~90min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中南大学,其通讯地址为:410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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