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龙图腾网恭喜华引芯(武汉)科技有限公司申请的专利一种发光元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211519002.2，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权一种发光元件及其制备方法是由徐晓丽;刘芳;徐威;孙雷蒙设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光元件，涉及半导体技术领域，改变了常规的对称式电极结构设计，采用非对称式的电极结构以及大量的N孔，用以增加P电极和N电极之间的电流通道，降低P电极和N电极之间电压。发光元件的焊盘包括两个N型焊盘和一个P型焊盘，所述P型焊盘位于两个所述N型焊盘之间，所述N型焊盘的面积占比大于所述P型焊盘的面积占比，并且每一所述N型焊盘的端面上均匀的设有多个N孔。N型焊盘的面积占比更大，N孔的分布就更广，那么P电极和N电极之间的电流通道就会更多，P电极和N电极之间的电流扩展就会更充分，进而就能降低P电极和N电极之间电压。此外，本发明还提供一种制备发光元件的方法。

本发明授权一种发光元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，其特征在于，包括衬底（101）以及依次生长于所述衬底（101）上的发光结构、电流扩展层（102）、钝化层（103）、反射层（104）、阻挡层（105）、绝缘层（106）、焊盘（107）；其中，所述焊盘（107）包括两个N型焊盘（1071）和一个P型焊盘（1072），所述P型焊盘（1072）位于两个所述N型焊盘（1071）之间，所述N型焊盘（1071）的面积占比大于所述P型焊盘（1072）的面积占比，并且每一所述N型焊盘（1071）的端面上均匀的设有多个N孔（1073），用以增加P电极和N电极之间的电流通道，使得P电极和N电极之间的电流扩展充分，进而降低P电极和N电极之间电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华引芯(武汉)科技有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2栋2层2015-2019号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。