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龙图腾网恭喜北京空间机电研究所申请的专利一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115955613B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211436544.3，技术领域涉及：H04N25/60；该发明授权一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块是由韩立镪;王耕耘;张旭;王小勇;姚瑶;吴淞波;程甘霖;潘卫军;戴立群;卜洪波;孙启扬;张芮萌设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块，属于CMOS图像传感器领域；包括2N+2M个电流舵单元、单向斜坡控制模块、电阻Rload、电阻Rdummy、电容Cfilter；其中，单向斜坡控制模块设置有2N+2M控制信号输出端，每个输出端分别连接在对应1个电流舵单元的2个输入端；每个电流舵单元的一个输出端连接电阻Rdummy后接地，另一个输出端与斜坡参考电压输出点Vout连接；斜坡参考电压输出点Vout分别与电阻Rload和电容Cfilter并联；实现台阶形式的信号经过滤波生成斜坡；本发明可消除输出点的毛刺glitch电压，进而提升整体读出电路的噪声、微分非线性、积分非线性性能，并可降低不同芯片之间的斜坡偏差。

本发明授权一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块在权利要求书中公布了：1.一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块，其特征在于：包括2N+2M个电流舵单元、单向斜坡控制模块、电阻Rload、电阻Rdummy和电容Cfilter；其中，单向斜坡控制模块设置有2N+2M控制信号输出端，每个输出端分别连接在对应1个电流舵单元的2个输入端；每个电流舵单元的一个输出端连接电阻Rdummy后接地，另一个输出端与斜坡参考电压输出点Vout连接；斜坡参考电压输出点Vout分别与电阻Rload和电容Cfilter并联；实现台阶形式的信号经过滤波生成斜坡；所述电流舵单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和反相器INV；其中，MOS管M1的源极接电源；MOS管M1的漏极与MOS管M2的源极连接；MOS管M1的栅极接第一偏置电压V1；MOS管M2的漏极分别与MOS管M3的源极、MOS管M4的源极连接；MOS管M2的栅极接第二偏置电压V2；MOS管M3的栅极与单向斜坡控制模块对应的控制信号输出端连接；MOS管M3的漏极与斜坡参考电压输出点Vout连接；MOS管M4的漏极与电阻Rdummy连接；MOS管M4的栅极与反相器INV的输出端连接；反相器INV的输入端与该控制信号输出端连接。

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