恭喜西安紫光国芯半导体股份有限公司吕颖义获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安紫光国芯半导体股份有限公司申请的专利一种芯片和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211134861.X，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权一种芯片和电子装置是由吕颖义设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片和电子装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片和电子装置，其中，该芯片包括：第一衬底；第一导电线路，包括第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层间隔；第一衬底设置有垂直于第一金属层平面的至少一组第一导电部，每组第一导电部包括第一导电体以及第二导电体，第一导电体连接第一金属层，第二导电体连接第二金属层，且第一导电体与第二导电体之间设置有掺杂介质，以使得第一导电体与第二导电体形成第一电容，第一电容用于存储电荷以为芯片供电。通过上述方式，本申请中的芯片通过使第一衬底中的第一导电体与第二导电体对应形成第一电容，合理地利用了硅衬底中的空闲空间，从而有效扩展了芯片的功能实现。
本发明授权一种芯片和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：第一衬底；第一导电线路，包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层间隔设置；绝缘层，设置于所述第一衬底与所述第一导电线路之间，以及所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述第一衬底设置有垂直于所述第一金属层平面的至少一组第一导电部，每组所述第一导电部包括第一导电体以及第二导电体，所述第一导电体延伸至所述绝缘层连接所述第一金属层，所述第二导电体延伸至所述绝缘层连接所述第二金属层；其中，所述第一导电体与所述第二导电体呈长方体状，所述第一导电体与所述第二导电体之间设置有掺杂介质，以使得所述第一导电体与所述第二导电体形成第一电容，所述第一电容用于存储电荷以为所述芯片供电。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安紫光国芯半导体股份有限公司，其通讯地址为：710075 陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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