恭喜华中科技大学于源获国家专利权
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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种主动模式选择的高Q微盘谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115453690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211049498.1，技术领域涉及：G02B6/293；该发明授权一种主动模式选择的高Q微盘谐振器是由于源;崔帅;周毅设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种主动模式选择的高Q微盘谐振器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种主动模式选择的高Q微盘谐振器、带通滤波器及带阻滤波器。主动模式选择的高Q微盘谐振器包括：绝热挖孔的微盘谐振腔、加热电极、以及关于第三弯曲波导对称分布的第一单模波导和第二单模波导、第一锥形波导和第二锥形波导、第一弯曲波导和第二弯曲波导；入射光从第一单模波导入射，入射光中满足谐振频率的光耦合进入微盘谐振腔，不满足谐振频率的光从第二单模波导输出；加热电极覆盖在微盘谐振腔的表面，微盘谐振腔上设置绝热挖孔，用于主动激发的特定模式，并保证特定模式在微盘谐振器中绝热传输。解决了容易引起多模竞争，产生增益饱和和跳模的问题，实现了激发的特定模式在微盘谐振腔中绝热传输，降低了散射损耗的有益效果。
本发明授权一种主动模式选择的高Q微盘谐振器在权利要求书中公布了：1.一种主动模式选择的高Q微盘谐振器，其特征在于，包括：微盘谐振腔、加热电极、以及关于第三弯曲波导对称分布的第一单模波导和第二单模波导、第一锥形波导和第二锥形波导、第一弯曲波导和第二弯曲波导；入射光从所述第一单模波导入射，依次经由所述第一锥形波导和所述第一弯曲波导，在所述第三弯曲波导的区域进行耦合，所述入射光中满足谐振频率的光耦合进入所述微盘谐振腔，不满足所述谐振频率的光依次经由所述第二弯曲波导、所述第二锥形波导，传输至所述第二单模波导输出；所述加热电极覆盖在所述微盘谐振腔的表面，用于加热改变波导的谐振频率，主动激发特定模式；所述微盘谐振腔上设置绝热挖孔，用于保证所述特定模式在所述微盘谐振器中绝热传输。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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