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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114885108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210550326.6，技术领域涉及：H04N25/76；该发明授权一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法是由李婷;何杰;张曼;杨靓;徐晚成;曹天骄;崔双韬;袁昕;刘晓轩;张凯设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法，包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元；对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号，将其传输至比较单元一输入端，DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器，将斜坡信号传输至比较单元另一输入端，斜坡信号大于输入信号时，比较单元产生翻转信号，寄存处理单元存储此时的数字码值，对其进行处理后，将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能，避免传统计数器在AD转换时产生大量翻转和计数，有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象，提升了温度敏感型图像传感器性能。

本发明授权一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗CMOS图像传感器结构，其特征在于，包括像元阵列（10）、采样放大单元（11）、比较单元（12）、DAC码值产生器（17）、DAC斜坡产生器（18）、寄存处理单元（19）和输出电路单元；所述像元阵列（10）输出的模拟信号由采样放大单元（11）进行采样放大后得到输入信号，将输入信号传输至比较单元（12）的一输入端，DAC码值产生器（17）产生的数字码值信号通过寄存处理单元（19）传输至DAC斜坡产生器（18），DAC斜坡产生器（18）产生的斜坡信号传输至比较单元（12）的另一输入端，当斜坡信号大于输入信号时，比较单元（12）产生翻转信号，寄存处理单元（19）存储产生翻转信号时的数字码值信号，寄存处理单元（19）对数字码值信号进行处理后，通过输出电路单元将结果输出；DAC斜坡产生器（18）输出的模拟斜坡信号向上递增；所述DAC码值产生器（17）为逐次级联的D触发器。

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